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    美國Trion 反應(yīng)式等離子刻蝕及沉積系統(tǒng)

    產(chǎn)品品牌

    TRION

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    美國Trion Technology
    反應(yīng)式離子刻蝕(RIE/ICP)系統(tǒng)及沉積(PECVD)系統(tǒng)
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    批量生產(chǎn)用設(shè)備:
    　
    去膠系統(tǒng)
    - 低損傷去膠系統(tǒng)

    新式去膠系統(tǒng)的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通過兩套價格低廉、緊湊的多功能系統(tǒng)使這一關(guān)鍵問題得到解決：Gemini和Apollo。利用ICP(電感耦合等離子)、微波和射頻偏置功率，可以在低溫條件下將難于消除的光刻膠去除。根據(jù)應(yīng)用要求，每套系統(tǒng)可以結(jié)合SST-Lightning 微波源(既可靠又沒有任何常見的微波調(diào)諧問題) 或ICP 技術(shù)。

    ?     刻蝕速率高達(dá)6微米/分?
    ?     高產(chǎn)量
    ?     等離子損傷低?
    ?     自動匹配單元
    ?     適用于100mm 到300mm 基片?
    ?     設(shè)備占地面積小
    ?     價格具競爭性
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    刻蝕/沉積
    　
    Titan是一套用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動化、帶預(yù)真空室的等離子系統(tǒng)。

    Titan    具有反應(yīng)離子刻蝕(RIE)配置、高密度電感耦合等離子沉積(HDICP)或等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)配置?？蓪蝹€基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進(jìn)行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。

    刻蝕應(yīng)用范圍：?
    砷化鎵、砷化鋁鎵、氮化鎵、磷化鎵、磷化銦、鋁、硅化物、鉻以及其他要求腐蝕性和非腐蝕性化學(xué)刻蝕的材料。

    沉積應(yīng)用范圍：
    二氧化硅、氮化硅、氮氧化物和其他各種材料。
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    Oracle III由中央真空傳輸系統(tǒng)(CVT)、真空盒升降機(jī)和最多四個工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負(fù)載鎖對接，既能夠以生產(chǎn)模式運(yùn)行，也能夠作為單個系統(tǒng)獨(dú)立作業(yè)。 Oracle III是市場上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實(shí)驗室環(huán)境進(jìn)行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進(jìn)行配置(使用真空盒升降機(jī)進(jìn)行基片傳送)。

    由于Oracle III 最多可容納四個獨(dú)立的工藝室，其可以有多種不同的工藝組合，其中包括RIE/ICP (反應(yīng)離子刻蝕機(jī)/電感耦合等離子)刻蝕和PECVD 沉積。多個室可以同時工作。鑒于所有工藝室均有真空負(fù)載鎖，工藝運(yùn)行安全且沒有大氣污染。
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    小批量生產(chǎn)用設(shè)備:
    　
    沉積 (PECVD)
    　
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    Minilock-Orion III是一套最先進(jìn)的等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)。系統(tǒng)的下電極尺寸可為200mm或300mm，且根據(jù)電極配置，可以處理單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，或者多尺寸批量處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。可沉積的薄膜包括：氧化物、氮氧化物、無定形硅和碳化硅?？梢允褂玫姆磻?yīng)氣體包括：100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。

    該系統(tǒng)可選配一個三極管(Triode)或電感耦合等離子(ICP)源。其中三極管使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而控制薄膜應(yīng)力?；ㄟ^預(yù)真空室裝入工藝室，其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產(chǎn)品接觸，從而提高了用戶的安全性。預(yù)真空室還使得工藝室始終保持在真空下，從而保持反應(yīng)室與大氣隔絕。
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    刻蝕 (RIE)
    　
    Minilock-Phantom III?具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機(jī)。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實(shí)驗室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供最先進(jìn)的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。該反應(yīng)室還可以用于去除光刻膠和有機(jī)材料?？蛇x配靜電吸盤(E-chuck)，以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器，及在基片背面保持一個氦冷卻層，從而達(dá)到控制基片溫度的作用。

    該設(shè)備可選配一個電感耦合等離子(ICP)源，其使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。
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    實(shí)驗室/研發(fā)/芯片失效分析用設(shè)備:
    　
    　
    沉積
    　
    Orion III 等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)適用于單個基片、碎片或帶承片盤的基片(2” - 300mm尺寸)，為實(shí)驗室和試制線生產(chǎn)提供最先進(jìn)的沉積能力。Orion III系統(tǒng)用于非發(fā)火PECVD工藝。沉積薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和無定形硅。工藝氣體：<20% 硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧和氮。該設(shè)備可選配一個ICP或三極管(Triode)源。
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    刻蝕
    　
    Phantom III反應(yīng)離子蝕刻(RIE)系統(tǒng)適用于單個基片、碎片或帶承片盤的基片300mm尺寸，為實(shí)驗室和試制線生產(chǎn)提供最先進(jìn)的等離子蝕刻能力。系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于蝕刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化學(xué)刻蝕的薄膜或基片(如碳、環(huán)氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢以及鎢鈦)
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    Sirus T2 臺面式反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(RIE)可用于介質(zhì)以及其它要求氟化基化學(xué)的薄膜刻蝕。用於對矽、二氧化矽、氮化矽、石英、聚亞醯胺、鉭、鎢、鎢鈦以及其他要求特徵控制，高度選擇性和良好一致性的材料進(jìn)行蝕刻。?

    本機(jī)包含200mm下電極, 系統(tǒng)控制器(含電腦主機(jī)及觸控介面)，13.56MHz, 300/600W 射頻發(fā)生器及自動調(diào)諧，最大四路/六路工藝氣體及自動壓力控制模塊等。占地面積小且堅固耐用，非常適合用於研發(fā)，實(shí)驗室環(huán)境及失效分析。
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