此設(shè)備用于2"-6"硅片淀積SiO2, Si3N4等工藝。
設(shè)備除裝卸片方式為手動外,控制微機對工藝過程及全部參數(shù)自動控制
咨詢
結(jié)構(gòu)形式:平板型
反應室極限真空度:<0.67Pa
工藝壓強范圍:13-266Pa
淀積溫度:200-450
溫度精度:+-2
RF電源:13.56MHZ
膜厚均勻性:片內(nèi)、片間、批間《+-3%
裝箱清單
此設(shè)備用于2"-6"硅片淀積SiO2, Si3N4等工藝。
設(shè)備除裝卸片方式為手動外,控制微機對工藝過程及全部參數(shù)自動控制
售后保障
質(zhì)保一年,24小時到現(xiàn)場維修。