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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 科睿設(shè)備 設(shè)備商城
PECVD:是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD).
我司按照客戶不同的應(yīng)用需求,提供高質(zhì)量的PECVD滿足不同的研究生產(chǎn)需求。
我司提供的PECVD系統(tǒng)可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。最大沉積尺寸為12英寸。
通常選用射頻淋浴源(RF)或帶有不規(guī)則氣體分布的空心陰極射頻等離子體源作為反應(yīng)源產(chǎn)生等粒子體。
部分PECVD可以升級到PECVD & 反應(yīng)離子蝕刻雙功能系統(tǒng)(帶ICP源)。
系統(tǒng)參數(shù):
腔體極限真空度:10-7 torr;
等粒子源: 射頻淋浴源(RF)、空心陰極高密度等離子體源(HCD)、感應(yīng)耦合等離子體源(ICP)或微波等離子體源, VHF(甚高頻)電源
襯體直徑:最大12” (300 mm)直徑
帶RF偏壓的襯底托;
加熱溫度:最高800°C;
最高可達(dá)8路MFC和多樣化的氣體選擇;
均勻性:≤±3%;
預(yù)抽真空室和自動晶片裝卸門;
全自動控制;
應(yīng)用領(lǐng)域:
等離子誘導(dǎo)表面改性;
等離子清洗;
等離子聚合;
SiO2, Si3N4, DLC及其它薄膜;
碳納米管(CNT)的選擇性生長。
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