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LHQ-200型PECVD淀積系統(tǒng) Leuven魯汶儀器（中國北京）

產(chǎn)品展示》薄膜鍍膜

LHQ-200A型PECVD淀積系統(tǒng)

系統(tǒng)簡介

l具有平行板電極結(jié)構(gòu)，可進行8英寸片薄膜生長的單腔室設(shè)備。

l能淀積SiO2,SiN以及本征α-Si等薄膜。

l適用于半導體器件和IC制備中鈍化膜的淀積。

l采用帶觸摸屏的集成工控機自動控制工藝流程，可靠性高，工藝重復性好，經(jīng)久耐用。

l用戶可自設(shè)定和記錄多種實驗程序，操作簡單、效率高。

l可廣泛地用于微電子、光電子、太陽電池、半導體器件和傳感器等領(lǐng)域。

機器性能

1、可以在200℃~300℃下淀積SiN、SiO2和不摻雜的非晶硅等薄膜；

2、均勻性：≤±5%；

3、淀積速率： SiO2≥30nm/min (采用Ar稀釋的5%安全濃度的SiH4)。

標準配置

1、陽極氧化鋁反應腔室；

2、載片臺（下電極）可放最大樣片尺寸：8"圓片或152mm×152mm的方片。樣片溫度在200~350℃可調(diào)；

3、5路進氣，5個數(shù)字式質(zhì)量流量計控制流量，可定制增減；

4、射頻電源，帶自動匹配器；

5、分子泵機組抽本底真空，機械泵抽淀積時的反應氣體；

6、工藝過程由帶觸摸屏的集成工控計算機控制。工藝條件可預設(shè)定；

7、有嚴格的撿漏、互鎖、報警和強排風等防毒、防爆的安全措施。

關(guān)于我們

江蘇魯汶儀器有限公司是由比利時魯汶儀器、中科院微電子研究所等共同注資成立。公司總部位于江蘇省邳州市，在比利時設(shè)有研發(fā)中心及銷售部，在北京和俄羅斯設(shè)有銷售部。公司秉承“以創(chuàng)新為主導，客戶信賴為第一”的宗旨，倡導精益求精的工匠精神，為客戶提供性能卓越的半導體研發(fā)、生產(chǎn)、材料檢測等精密設(shè)備及配套技術(shù)服務。

公司旨在研發(fā)與生產(chǎn)大學實驗室、研究所及半導體生產(chǎn)線所需儀器設(shè)備，瞄準定制化市場。主要產(chǎn)品有薄膜材料納米孔徑分析儀、高端平臺刻蝕機、等離子體刻蝕系列設(shè)備、化學氣相沉積系列設(shè)備、濺射薄膜鍍膜系列設(shè)備、原子層鍍膜系列設(shè)備、濕法清洗刻蝕系列設(shè)備等，公司擁有自主專利技術(shù)，核心產(chǎn)品技術(shù)國際領(lǐng)先。

公司堅持以人為本，技術(shù)團隊囊括諾貝爾獎獲得者、兩名“千人計劃”專家，多名國內(nèi)外半導體領(lǐng)域知名教授及高?？蒲性核哪贻p技術(shù)骨干。國際一流的人才團隊為公司保持技術(shù)領(lǐng)先、實現(xiàn)創(chuàng)新驅(qū)動打下了堅實的基礎(chǔ)。

公司致力于成為全球一流的半導體設(shè)備供應商，愿與客戶、供應商、業(yè)界同仁及投資者共同開拓和締造半導體設(shè)備領(lǐng)域的廣闊未來！

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