服務(wù)熱線
4001027270
系統(tǒng)簡介
l具有平行板電極結(jié)構(gòu),可進(jìn)行8英寸片薄膜生長的單腔室設(shè)備。
l能淀積SiO2,SiN以及本征α-Si等薄膜。
l適用于半導(dǎo)體器件和IC制備中鈍化膜的淀積。
l采用帶觸摸屏的集成工控機(jī)自動(dòng)控制工藝流程,可靠性高,工藝重復(fù)性好,經(jīng)久耐用。
l用戶可自設(shè)定和記錄多種實(shí)驗(yàn)程序,操作簡單、效率高。
l可廣泛地用于微電子、光電子、太陽電池、半導(dǎo)體器件和傳感器等領(lǐng)域。
機(jī)器性能
1、可以在200℃~300℃下淀積SiN、SiO2和不摻雜的非晶硅等薄膜;
2、均勻性:≤±5%;
3、淀積速率: SiO2≥30nm/min (采用Ar稀釋的5%安全濃度的SiH4)。
標(biāo)準(zhǔn)配置
1、陽極氧化鋁反應(yīng)腔室;
2、載片臺(tái)(下電極)可放最大樣片尺寸:8"圓片或152mm×152mm的方片。樣片溫度在200~350℃可調(diào);
3、5路進(jìn)氣,5個(gè)數(shù)字式質(zhì)量流量計(jì)控制流量,可定制增減;
4、射頻電源,帶自動(dòng)匹配器;
5、分子泵機(jī)組抽本底真空,機(jī)械泵抽淀積時(shí)的反應(yīng)氣體;
6、工藝過程由帶觸摸屏的集成工控計(jì)算機(jī)控制。工藝條件可預(yù)設(shè)定;
7、有嚴(yán)格的撿漏、互鎖、報(bào)警和強(qiáng)排風(fēng)等防毒、防爆的安全措施。
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