等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備(PECVD) 沈陽金研
1、
設(shè)備用途:本設(shè)備采用等離子體增強在化學(xué)氣相沉積工藝,在光學(xué)玻璃等沉底材料上沉積半導(dǎo)體薄膜材料,制備非晶硅和微晶硅半導(dǎo)體薄膜器件,可用于氧化硅、氮化硅、碳化硅及類金剛石碳的沉積。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
2.技術(shù)數(shù)據(jù):
樣品最大尺寸 |
Dn150mm |
樣片加熱臺加熱溫度 |
室溫-800℃ |
極限真空度(分子泵系統(tǒng)) |
6.7×10-5Pa(冷態(tài)) |
壓升率 |
≤0.33Pa/H |
PECVD鍍膜電源功率 |
500W-1000W |
PECVD鍍膜室氣路 |
三路 |
引出束斑直徑 |
Φ100mm |
平均束流強度 |
10mA |
單電荷離子能量 |
20~100Kev |
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2.1PECVD鍍膜電源射頻電源
2.2離子注入源金屬離子注入源:離子種類:金屬和導(dǎo)電材料、碳等;
2.3操作方式采用遠控進行注入工藝;
2.4防護離子注入室側(cè)面設(shè)有鉛屏蔽及不銹鋼裝飾層;采用鉛玻璃觀察窗;
2.5真空室材質(zhì)雙層水冷,不銹鋼
3.技術(shù)規(guī)格:JPEC/n-xxx N=1/2/3 真空室數(shù)量 xxx 沉積室內(nèi)徑