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    單室薄膜太陽電池等離子增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-PECVD

    庫       存：

    100

    產(chǎn)       地：

    中國-遼寧省

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

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    所屬系列：半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-PECVD

    單室薄膜太陽電池等離子增強化學(xué)氣相沉積（PECVD） 設(shè)備商城

    該系統(tǒng)為單室薄膜太陽電池等離子增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝研發(fā)設(shè)備，用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。
    設(shè)備概述：
    1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu)，手動前開門；
    2.真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造（304），氬弧焊接，
    表面采用噴玻璃丸+電化學(xué)拋光鈍化處理配有可視觀察窗口，并帶擋板，
    真空尺寸為350mm×350×280mm；
    3.極限真空度：≤6.67x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用分子泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)；
    系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，35分鐘可達到
    （采用分子泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)； 停泵關(guān)機12小時后真空度：≤5 Pa（采用分子
    泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)；
    4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；
    5.樣品加熱最高加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，采用日本進口控溫表進行控溫；
    6.噴淋頭尺寸：200×200mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào)，并帶有標(biāo)尺指數(shù)顯示；
    7. 沉積工作真空：13-1300Pa；
    8.氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置；
    9.射頻電源：頻率 13.56MHz，最大功率500W，全自動匹配；
    10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體，共計使用7個質(zhì)量流量控制器控制進氣。
    11. 系統(tǒng)設(shè)有硅烷尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。

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