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關(guān)注:452
GXE200系列等離子刻蝕機(jī) 半導(dǎo)體應(yīng)用
庫(kù) 存：
1
產(chǎn) 地：
中國(guó)-北京市
面向4-8英寸襯底0.25μm以上技術(shù)代的通用高密度等離子體刻蝕設(shè)備，集成高密度等離子體源、高壽命卡盤、精密的腔室溫度控制系統(tǒng)，快速匹配的射頻系統(tǒng)等多項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)。GXE刻蝕機(jī)可滿足硅、介質(zhì)、化合物半導(dǎo)體的刻蝕工藝需求。
GSE200系列等離子刻蝕機(jī)
- 支持8 路氣體配置
- 適用于多種材料刻蝕的研發(fā)及失效分析
- 提供研發(fā)所需的豐富的工藝數(shù)據(jù)庫(kù)支持
- 適用于8 寸及以下各種形狀的樣片加工
- 低運(yùn)營(yíng)成本
GDE200系列等離子刻蝕機(jī)
- 適用于光波導(dǎo)、SiC 等介質(zhì)刻蝕工藝領(lǐng)域
- 低使用成本，低犧牲耗材
- 界領(lǐng)先的刻蝕速率
- 成熟的SiC、U-MOS、二極管及通孔刻蝕工藝解決方案
- 靈活的系統(tǒng)配置，適合研發(fā)、中試線、大規(guī)模生產(chǎn)線的不同應(yīng)用
-
GCE200系列等離子刻蝕機(jī)
- 適用于Ⅲ-V 族、HEMT、激光器領(lǐng)域
- 可實(shí)現(xiàn)低于2nm/min 的GaN 刻蝕速率
- 低運(yùn)營(yíng)成本
- 有效降低器件損傷
- 靈活的系統(tǒng)配置，適合研發(fā)、中試線、大規(guī)模生產(chǎn)線的不同應(yīng)用
GXE200S
- 單腔室，自動(dòng)傳輸，適用于研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)；
- 更小占地面積和操作靈活性，有效降低采購(gòu)和使用成本；
-
GXE200C
-
- 單腔室，c-c自動(dòng)裝卸載，自動(dòng)傳輸，適用于研發(fā)及規(guī)模生產(chǎn)；
- 更高自動(dòng)化程度，有效提高生產(chǎn)效率和穩(wěn)定性；
- 全自動(dòng)大產(chǎn)能設(shè)備，配備多腔室，全自動(dòng)裝卸載和傳輸模塊，適用于大規(guī)模生產(chǎn)線；
- 支持批量生產(chǎn)的設(shè)備架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)工廠級(jí)別的自動(dòng)化控制，有效降低人力成本和差錯(cuò)率
GXE200L
- 全自動(dòng)大產(chǎn)能設(shè)備，配備多腔室，全自動(dòng)裝卸載和傳輸模塊，適用于大規(guī)模生產(chǎn)線；
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