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Veeco 的 Propel™ Power GaN MOCVD 系統(tǒng)專為電力電子器件行業(yè)而設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用單晶片反應(yīng)腔平臺(tái),能夠處理六至八英寸晶片,可沉積高品質(zhì)的 GaN 薄膜,生產(chǎn)高效率的電力電子器件。這種單晶片反應(yīng)腔基于 Veeco 的領(lǐng)先 TurboDisc® 設(shè)計(jì)并采用突破性的技術(shù),其中包括新的 IsoFlange™ 以及可在整個(gè)承載盤中提供均勻的層流和統(tǒng)一溫度曲線的 TruHeat™ 晶片線圈??蛻艨梢院茌p松地從 Veeco K465i™ 和 MaxBright™ 系統(tǒng)切換到 Propel Power GaN MOCVD 平臺(tái)。
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