等離子體增強原子層沉積系統(tǒng) 科睿設備 設備商城
(PEALD)
等離子體增強原子層沉積(Plasma Enhance Atomic Layer Deposition,PEALD),也稱為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),或原子層化學氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,ALCVD)。原子層沉積是在一個加熱反應的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體源,化學吸附至表面飽和時自動終止,適當?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環(huán)包括四個步驟:脈沖A,清洗A,脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度,是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件極佳的工具。
PEALD的優(yōu)點包括:
1. 可以通過控制反應周期數(shù)精確控制薄膜的厚度,從而達到原子層厚度精度的薄膜;
2. 由于前驅(qū)體是飽和化學吸附,保證生成大面積均勻性的薄膜;
3. 可生成極好的三維保形性化學計量薄膜,作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層;
4. 可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物;
5. 薄膜生長可在低溫下進行(室溫到400度以下);
6. 可廣泛適用于各種形狀的襯底;
7. 原子層沉積生長的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS器件,生長的金屬氮化物薄膜適合于擴散勢壘。
等離子增強原子層沉積PEALD的應用:
1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);
2) 導電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN);
3) 金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN,Ru, Ir);
4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);
5) 納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material);
6) 生物醫(yī)學涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);
7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);
8) 壓電層 (ZnO, AlN, ZnS);
9) 透明電學導體 (ZnO:Al, ITO);
10) 紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);
11) OLED鈍化層 (Al2O3);
12) 光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13) 防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);
14) 電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15) 工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);
16) 光學應用如太陽能電池、激光器、光學涂層、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17) 傳感器 (SnO2, Ta2O5);
18) 磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2);
系統(tǒng)配制:
基片尺寸:6英寸、8英寸、12英寸;
加熱溫度:25℃—400℃(可選配更高);
均勻性: < 2%;
前驅(qū)體數(shù):4路(可選配6路);
兼容性: 可兼容100級超凈室;
尺寸:950mm x 700mm;
ALD及PE-ALD技術(shù);
目前可以沉積的材料包括:
1) 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2) 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3) 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4) 金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5) 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6) 復合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7) 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...