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當(dāng)前位置: 首頁 » 設(shè)備館 » 半導(dǎo)體加工設(shè)備 » 鍍膜設(shè)備 » 原子層沉積ALD »供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 分子束外延MBE設(shè)備 非標(biāo)定制 高精度薄膜
    包郵 關(guān)注:372

    供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 分子束外延MBE設(shè)備 非標(biāo)定制 高精度薄膜

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè):

    半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-原子層沉積ALD

    庫       存:

    999

    產(chǎn)       地:

    全國

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價(jià)       格:

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付
     分子束外延MBE設(shè)備(分子束外延薄膜生長設(shè)備MBE)可以在某些襯底上實(shí)現(xiàn)外延生長工藝,實(shí)現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量*子*阱、一維納米線等??梢赃M(jìn)行第*二*代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗(yàn)證和外延片的生長制造。

    分子束外延薄膜生長設(shè)備在薄膜外延生長時(shí)具有超*高的真空環(huán)境,是在理*想的環(huán)境下進(jìn)行薄膜外延生長,它可以排除在薄膜生長時(shí)的各種干擾因素,得到理想的高*精*度*薄膜。

    我公司設(shè)計(jì)制造的分子束外延薄膜生長實(shí)驗(yàn)設(shè)備,分實(shí)驗(yàn)型和生產(chǎn)型兩種 ,配置合理,結(jié)構(gòu)簡單,操作方便,技*術(shù)*先*進(jìn),性*能*可*靠,用途多,實(shí)用性強(qiáng),價(jià)格相對(duì)較低,可供各大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室及科研機(jī)構(gòu)作為分子束外延方面的教學(xué)實(shí)驗(yàn)、科學(xué)研究及工藝實(shí)驗(yàn)之用。生產(chǎn)型MBE可用于小批量外延片的制備。

     

     

    功能特點(diǎn)

     

    本項(xiàng)目于2005年在國內(nèi)率先完成了成套MBE的全國產(chǎn)化研發(fā)設(shè)計(jì)和制造,做到自主可控。自主設(shè)計(jì)MBE超*高*真*空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、RHEED原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀、直線型電子槍、高溫束源爐、束源爐電源、高溫樣品臺(tái)、膜厚儀(可計(jì)量外延生長的分子層數(shù))等核心部件。

     

    可實(shí)現(xiàn)第二代半導(dǎo)體(如砷化鎵等)和第三代半導(dǎo)體(如碳化硅和氮化鎵)的外延生長。

     

     

    設(shè)備組成與主要技術(shù)指標(biāo)

     

    設(shè)備的組成

     

    進(jìn)樣室

     

    該室用于樣品的進(jìn)出倉,并配置有多樣片儲(chǔ)存功能。樣品庫可放六片基片。

     

    預(yù)處理室

     

    該室用于樣品在進(jìn)入外延室之前進(jìn)行真空等離子剝離式清洗和真空高溫除氣,及其他前期工藝處理。還用于對(duì)外延后的樣片進(jìn)行后工藝處理,如高溫退火等等。

     

    外延室

     

    超*高*真*空潔凈真空室,實(shí)現(xiàn)分子束外延工藝。

     

    主要技術(shù)指標(biāo)

     

    進(jìn)樣室

     

    極限真空:5.0×10-5Pa

     

    樣品裝載數(shù)量:6片(φ2 英寸~φ4 英寸,帶樣品載具)

     

    預(yù)處理室

     

    極限真空:5×10-7Pa

     

    樣品臺(tái)加熱溫度:室溫~ 850℃±1℃(PID 控制)

     

    離子清洗源:Φ60;100 ~ 500eV

     

    外延室

     

     項(xiàng)目    參數(shù) 

     極限真空 離子泵 8.0×10-9  Pa(冷阱輔助)

     樣品臺(tái)加熱溫度 室溫~ 1200℃±1℃(PID 控制)

     樣品自轉(zhuǎn)速度 2 ~ 20 轉(zhuǎn) / 每分鐘(無級(jí)可調(diào))

     氣態(tài)離化源 1~3套(氮)

     固態(tài)束源爐 3 ~ 8 套(根據(jù)用戶需求配置)

     Rheed 1套

    *工藝室部分部件根據(jù)客戶需求不同,所配置不同。

     

    實(shí)驗(yàn)型MBE

     

     

    設(shè)備組件

     

    超*高*真*空直線型電子槍

     

    自主研發(fā)直線型電子槍,滿足超*高*真*空和束源爐法蘭接口及安裝尺寸的要求;可用于高溫難融材料的加熱蒸發(fā)。

     


     

    超*高*真*空直線型電子槍

     

    高能衍射槍及電源

     

    束斑0.6mm,高壓25kV。

     

    光斑在熒光屏上可衍射圖像經(jīng)CCD 相機(jī)采集后由計(jì)算機(jī)進(jìn)行圖像處理。

     

     

    生產(chǎn)型MBE

     

     

    工藝實(shí)現(xiàn)

     

    使用鵬城半導(dǎo)體自主研發(fā)的分子束外延設(shè)備生長的Bi2-xSbxTe3。


    1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7

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