LPCVD是用加熱的方式,在低壓條件下,使氣態(tài)化合物在基片表面反應并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低,氣體分子的平均自由程和擴散系數大,故可采用密集裝片方式來提高生產率,并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD用于淀積Poly-Si,Si3N4, SiO2, 磷硅玻璃,硼磷硅玻璃,非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應用于半導體集成電路,電力電子,光電子及MEMS等行業(yè)的生產工藝中。
咨詢
工作溫度:350-1000
恒溫長度及精度:760mm
溫度梯度:0-30度可調
系統(tǒng)極限真空度:0.8Pa
工作壓力范圍:30PA-133PA可調
淀積膜種類:Si3N4 片內, 片間,批間<+-3%
淀積膜均勻性:Poiy-Si 片內, 片間,批間<+-3%
淀積膜均勻性:SiO2片內<+-3%
裝箱清單
LPCVD是用加熱的方式,在低壓條件下,使氣態(tài)化合物在基片表面反應并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低,氣體分子的平均自由程和擴散系數大,故可采用密集裝片方式來提高生產率,并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD用于淀積Poly-Si,Si3N4, SiO2, 磷硅玻璃,硼磷硅玻璃,非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應用于半導體集成電路,電力電子,光電子及MEMS等行業(yè)的生產工藝中。
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