• 結(jié)構(gòu)緊湊用于滿載可達100到200片硅片
• 工藝均勻性極高
• 開機率大于95%
• 客戶群較大
• 專家專線服務(wù)
• 樣品最大尺寸為8”/200毫米
• 節(jié)省電能消耗50%

控制

TYTAN控制系統(tǒng)可以直接從觸摸屏來控制溫度感、氣體流量、壓力控制、順時和順序啟動、硅片裝卸載。 控制系統(tǒng)由這幾個單元構(gòu)成FCS—10/30 爐體控制系統(tǒng), FCS 20工藝控制主機, , FCS 10溫度控制單元，MFS 460 質(zhì)量流量控制系統(tǒng)以及DCS 30數(shù)據(jù)收集系統(tǒng)。所有控制單元之間通訊采用SECS/GEM 協(xié)議。

硅片生態(tài)

硅片污染和顆粒沉積是設(shè)備制造和研發(fā)工程的關(guān)注事項。用于配氣系統(tǒng)以及與反應(yīng)器中的硅片相接觸的所有部件的材料都是經(jīng)過仔細挑選的高純度、耐化學腐蝕材料。在預(yù)清洗和爐系統(tǒng)裝配過程中要格外注意。在氣體輸入到反應(yīng)器管處均使用點式氣體過濾器。選配層流系統(tǒng)的凈化工作臺的凈化等級能夠優(yōu)于10級。

安全性

Tytan 系統(tǒng)具有安全互鎖和其他測量功能以確保安全，并減少因零部件故障引起的事故，斷電和操作失誤。錯誤的狀態(tài)會觸發(fā)報警并顯示在觸摸屏上，并且激活燈塔和蜂鳴器。每根爐管都是單獨來控制的，所以一根爐管有故障不會影響其他爐管工作。每一個系統(tǒng)都有一個主電源開關(guān)和急停按鈕。

氣體控制的設(shè)計理念是自動控制防止故障，這樣一來可以減少操作人員的憂慮。當有緊急情況時，系統(tǒng)會自動啟動氮氣吹掃模式。安全互鎖也應(yīng)用在氣體控制系統(tǒng)起到控制特定的氣路，時間延時和防止氣體流量低于設(shè)定值或與其他氣體不兼容等作用。反應(yīng)氣流不會被激活，在工藝爐爐門打開狀態(tài)，爐管內(nèi)壓力過高或者爐管內(nèi)溫度過低的狀態(tài)。

有毒/易燃氣體泄漏已經(jīng)得到預(yù)防，因為我們選用的都是高質(zhì)量的元件，通過氦氣檢漏測試，自動焊接316不銹鋼管道，VCR墊片，雙壁管道以及各個氣路的安全截止閥。氣體控制系統(tǒng)會啟動安全互鎖關(guān)閉反應(yīng)氣體以應(yīng)泄漏事故或者吹掃氮氣氣流低于某個設(shè)定值。所有的特氣控制元件是安裝在一個有排風的氣柜中。所有的特氣管道都是經(jīng)過電子拋光的，這樣可以有效減少顆粒的產(chǎn)生和表面殘留。

通過我們的設(shè)備制備非晶硅薄膜

多晶硅薄膜的生長溫度是600-650℃，非晶硅薄膜的生長溫度是在500-550℃。低溫可以得到較低的應(yīng)力和較小的晶粒。沉積后退火處理可以降低應(yīng)力并再結(jié)晶，使較大晶粒和非晶薄膜本征壓應(yīng)力轉(zhuǎn)變?yōu)閺垜?yīng)力。壓應(yīng)力和張應(yīng)力相互交織，整體壓力可以保持較低的狀態(tài)，這時是不需要低溫退火的。小晶粒具有較低的導熱系數(shù)并且較易被氫氟酸腐蝕。在600-650℃，多晶硅薄膜晶向主要是110，工藝溫度越高晶向越趨向于100.

• ? 典型薄膜厚度:0.1 TO 2microm
• ? 批產(chǎn)能: 50
• ? 沉積速率: 1-3nm/MIN. (10 - 30 ?/MIN.)
• ? 沉積溫度: 500 - 550 ?C
• ? 折射率 AT 550nm
• ? 均勻性指標: < 3% USING 1σ
• ? 工藝氣體: SILANE SIH₄

應(yīng)用范圍：LCD 薄膜晶體管，薄膜光伏電池

通過我們的設(shè)備制備摻雜多晶硅薄膜

摻雜工藝例如反應(yīng)氣體增加磷烷和三氯化硼氣體可以改變晶硅導電率和應(yīng)力。摻雜多晶硅需要使用籠型舟這樣可以得到更好的均勻性。加入磷烷可以使多晶硅沉積速率減小，而摻入硼則會增加多晶硅沉積速率。原位摻雜可以通過多步工藝步驟得到較好的厚度均勻性，它也是在低溫環(huán)境下沉積的。它的缺點包括工藝復(fù)雜，厚度均勻性差，增加爐管清洗的難度。粗晶粒多晶硅可以達到細晶粒摻雜不能達到的程度.

應(yīng)用范圍：多晶硅可以用于電阻器，場效應(yīng)管柵極，基于氫化非晶硅的薄膜電阻，動態(tài)記憶元板，溝槽填充，雙極性晶體管發(fā)射器。摻雜多晶硅的傳導性能足以應(yīng)用于內(nèi)部鏈接，靜電器件，壓阻電敏應(yīng)變器。多晶硅（尤其是摻雜多晶硅）在MEMS 領(lǐng)域經(jīng)常被用作結(jié)構(gòu)材料.

• ? 典型薄膜厚度: 2.0microm
• ? 沉積速率: 6-20nm/MIN
• ? 折射率 AT 550nm
• ? 使用特氣: SILANE, PHOSPHINE OR BORON TRICHLORIDE
• ? 均勻性指標: < 3%

通過我們的設(shè)備制備摻雜多晶硅薄膜（SiH4）

制備多晶硅最常用的工藝氣體是硅烷（SiH4).多晶硅薄膜也可以用其他氣體制備，如乙硅烷（參考后一項），二氯甲硅烷，三氯甲硅烷。每一種都有自身的優(yōu)勢，這取決于應(yīng)用范圍。多晶硅薄膜也可以進行原位摻雜（使用磷烷，參考磷摻雜多晶硅的制備）.

• ? 典型薄膜厚度: 0.1 TO 2 μm
• ? 批產(chǎn)能: 50 (18 FLAT ZONE) OR 100 (34 FLAT ZONE)
• ? 沉積速率: 6 - 20 nm/MIN. (60 - 200 ?/MIN.)
• ? 沉積氣體: SILANE SIH₄
• ? 沉積溫度: 580 - 850 ?C
• ? 折射率: 3.5 - 5.5
• ? 均勻性指標: < 3% USING 1σ
• ? 殘余應(yīng)力: 50 - 100 MPa

應(yīng)用范圍：MEMS結(jié)構(gòu)層，電阻，MOSFET 柵極，動態(tài)記憶元板，溝槽填充，雙極性晶體管發(fā)射端，光伏電池等.
 

通過我們的設(shè)備制備摻雜多晶硅薄膜（Si2H6）

通過我們的設(shè)備制備低溫氧化硅薄膜，摻雜低溫氧化硅薄膜，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃，磷硅玻璃

低溫氧化硅薄膜主要用作犧牲層，擴散掩膜，離子注入掩膜，刻蝕掩膜，絕緣層和鈍化等。這些工藝相較于常規(guī)熱氧化是在很低的溫度（400-450℃）運行的，所以可以兼容很多材料。薄膜材料質(zhì)量相對差一些，較低的介電系數(shù)，階梯覆蓋性不一致性較高以及氫雜質(zhì)的摻入導致較低的薄膜密度和氫氟酸刻蝕速率的增加。沉積后退火處理可以提高薄膜密度以及使得刻蝕更加均勻。摻雜的氧化工藝可以減低回流物的熔點，增加它自身的被刻蝕速率（這樣使得作為犧牲層的它更具吸引力），以及降低了應(yīng)力。磷也可以吸收鈉離子.

磷硅玻璃會影響多晶硅表面生長屬性。例如605℃的多晶硅沉積，晶向111會取代晶向100并且應(yīng)力也會相對低一些。在兩個磷硅玻璃層之間采用退火工藝獲得摻雜多晶硅，這樣可以減低應(yīng)力.

因硅烷可以自發(fā)與氧氣反應(yīng)，為避免爐管內(nèi)不可接受的濃度下降，采用了單獨的進氣方式。良好的溫度控制需要采用輕質(zhì)加熱爐體，使用籠型舟來提高工藝均勻性.

• ? 典型薄膜厚度: 0.05-3 microm
• ? 折射率在 AT 550nm/ 1.45-1.47
• ? 批產(chǎn)能: 25
• ? 沉積速率: 15-22.5nm/MIN
• ? 氣體: SILANE, OXYGEN, PHOSPHINE, AND BORON TRICHLORIDE
• ? 均勻性指標: < 5%
• ? 摻雜率: 6.5-7.0%

通過我們的設(shè)備制備高溫氧化硅薄膜

高溫氧化薄膜是使用笑氣和二氯二氫硅來制備的。薄膜質(zhì)量和熱氧化工藝類似，但是它不消耗硅襯底.

• ? 典型薄膜厚度: 0.45 μm
• ? 批產(chǎn)能: 50
• ? 沉積速率: 5-10nm/MIN. (50 - 100 ?/MIN.)
• ? 沉積氣體: DICHLOROSILANE, NITROUS OXIDE
• ? 沉積溫度: 800 - 900 ?C
• ? 折射率: 1.45-1.47

Applications: flash memory, shallow trench isolation, side-wall spacers, inter-poly dielectrics
 

通過我們的設(shè)備制備氧化硅薄膜（正硅酸乙酯）

TEOS是正硅酸乙酯Si(OCH2CH3)4的簡寫. TEOS分子是正方體結(jié)構(gòu).它在室溫下是無色液體,味道接近酒精味道.它的沸點是169℃,但在45℃就可以蒸發(fā).它的蒸汽壓力在室溫下是1.5Torr. 它是具有易燃性,吸入其蒸汽可致中毒.其蒸氣或霧對眼睛、皮膚、粘膜和呼吸道有刺激作用,接觸后能引起頭痛、惡心和嘔吐.慢性揮發(fā)會傷及內(nèi)臟,如肝臟,血液,腎和肺.

關(guān)于TEOS 低壓氣相沉積工藝,蒸汽可以通過鼓泡器或者液體注射器帶進工藝爐管內(nèi).無論那種情況,這些液體被緩慢加熱至略超過室溫,這樣可以增加局部壓力.通入工藝腔的氣體應(yīng)不含水分,這樣避免產(chǎn)生聚合物. TEOS 和水汽反應(yīng)會生成聚合物會逐步降低TEOS的局部壓力,進而影響薄膜特征（稱為漂移）.

在TEOS 氧化硅工藝中,TEOS 大多是通過惰性氣體攜帶進入650~850℃的工藝腔體內(nèi).TEOS 分子會分裂和吸附在晶片表面.臨近的乙烷基和烴基會形成穩(wěn)定的產(chǎn)品,然后從表面熱分解成O-SI-O 和副產(chǎn)品.另外,TEOS 自身具備良好的氧原子,添加氧氣可以提高反應(yīng)速率.氮氣一般作為攜帶氣體.

這種單一的前驅(qū)低壓氣相沉積氧化工藝相較于LTO 有很多優(yōu)勢,保型的臺階覆蓋,較好的質(zhì)量,純度更高,回流特性和熱穩(wěn)定性.它的缺點是它是在高溫環(huán)境(625-725?C)下運行的,不適合于鋁襯底.

• ? 典型薄膜厚度: 0.05-3 microm
• ? 批產(chǎn)能: 50 (18" FLAT ZONE) OR 100 (34" FLAT ZONE)
• ? 折射率在 AT 550nm/ 1.41-1.46
• ? 沉積速率: 15-25nm/MIN. (150 - 250 MICROM/MIN.)
• ? 氣體: TEOS (99.9999%)/O2
• ? 均勻性指標: < 5% FOR 8"/LI>
• ? 典型TEOS 溫度: 35 - 50 ?C
• ? 典型沉積溫度: 625-725?C GRADIENT
• ? 典型沉積壓力: A FEW TORR OR LOWER
• ? 典型氣體流量: 與TYSTAR 工程師確認
• ? 襯底材料: SILICON, SILICON NITRIDE, III-V SEMICONDUCTORS, AND ETC.

TEOS 低壓化學氣相沉積主要用于沉積介電材料，隔離層，遮掩層材料和光波導材料的的氧化物。

通過我們的設(shè)備制備氮化硅薄膜

氮化硅是一種硬的，致密的材料。它主要用作擴散膜，鈍化層，氧化掩膜，刻蝕掩膜，離子注入掩膜，隔離，封裝，機械保護，微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，介電層，光波導，多核和蝕刻停止層。二氯二氫硅的使用既可以提高均勻性又可以提高刻蝕速率。工藝參數(shù)關(guān)系如下

• ? 提高溫度可以降低應(yīng)力
• ? 增加壓力和溫度可以增加沉積速率
• ? 增加沉積速率會降低均勻性

薄膜應(yīng)力與溫度的關(guān)系是指爐管的溫度梯度不能單純只依靠從爐口到爐尾的氣體消耗而補償，所以安裝了一個羅茨泵以用來提高抽速，這樣的話維持特定壓力時可以通入更多的氣體。增加氣體流量可以緩解氣體消耗的影響.

為避免氮化硅薄膜出現(xiàn)霧化，當裝卸載的時候，需要考慮一些措施來防止NH4Cl副產(chǎn)品的回流。Tystar 創(chuàng)新型主抽閥可以解決這個問題，當主抽閥關(guān)閉時，它允許一個小的氮氣流從爐管到泵繼續(xù)的吹掃.

通過我們的設(shè)備制備低應(yīng)力氮化硅薄膜

低應(yīng)力氮化一般采用DCS 和NH3 高流量比（典型 ~6）這種富硅沉積可以得到非常低的拉應(yīng)力，該應(yīng)力一般取決于氣體混合比例和工藝溫度。工藝壓力通常是幾托或者更低，增加壓力和工藝溫度會升高沉積速率但會降低均勻性.

應(yīng)用范圍：MEMS 結(jié)構(gòu)，擴散緩沖層，鈍化層，氧化掩膜，刻蝕掩膜，離子注入掩膜，隔離層，封裝，機械保護，柵極介電層，光波導，化學機械研磨和蝕刻停止層

• ? 典型薄膜厚度: 0.1-2 MICROM: 0.1-2 microm
• ? 批產(chǎn)能: 550nm/2.0-2.3
• ? 批產(chǎn)能: 50
• ? 沉積速率: 3-4.5nm/MIN
• ? 氣體: DICHLOROSILANE, AMMONIA
• ? 均勻性指標: < 5%
• ? 應(yīng)力: 50-300 MPa
• ? 沉積溫度: 800 - 840 ?C FLAT

化學計量氮化硅薄膜

• ? 典型薄膜厚度: 0.1-2 microm
• ? 折射率在: 550nm/ 1.98-2.0
• ? 批產(chǎn)能: 50
• ? 沉積速率: 3-4.5nm/MIN
• ? 氣體: DICHLOROSILANE, AMMONIA
• ? 均勻性指標: < 3%
• ? 應(yīng)力: 1000-1250 MPa
• 沉積氣體比: 3:1
• ? 沉積溫度: 800 - 830 ?C GRADIENT

通過我們的設(shè)備制備氮氧化硅薄膜 (SiN_xO_y)

增加笑氣到氮化硅工藝中可以制備氮氧化薄膜，它能提供鈍化和氮化物的機械性能和低的介電常數(shù)以及氧化物的低應(yīng)力。氮氧化硅薄膜應(yīng)用于微機電系統(tǒng)和存儲器器件和減反射層。它的熱膨脹系數(shù)和折射率都可以由參數(shù)的更改而變化。 例如，折射率可以通過增加氮的比例，增加溫度和壓力而改變.

• ? 典型薄膜厚度: 0.1-2 microm
• ? 折射率在: 550nm/ 1.5-2.0
• ? 批產(chǎn)能: 50 (18 FLAT ZONE) OR 100 (34 FLAT ZONE)
• ? 沉積速率: 1.5 - 8nm/MIN. 15 - 80 ?/MIN.
• ? 氣體: DICHLOROSILANE, AMMONIA, NITROUS OXIDE
• ? 均勻性指標: < 5%
• ? 沉積溫度: 770 - 910?C

應(yīng)用范圍：光波導，多種探測和折射，鈍化層，減反射摸
 

通過我們的設(shè)備制備鍺硅薄膜（Si-Ge）LPCVD

鍺硅器件比標準硅的運行速度提升了一個數(shù)量級，它可以達到3GHz，因此它在無線多媒體器件有廣泛的應(yīng)用市場。鍺硅技術(shù)是使用異質(zhì)結(jié)夠和雙極晶體管作為其基本元件。與硅比較起來，鍺的電子遷移率較高。通過改良硅加工技術(shù)，它可以應(yīng)用在比較難加工材料和氮化鎵器件的工藝上.

鍺硅器件要求沉積一層薄的、含有少量的鍺的單晶硅。這些硅晶層可以通過外延技術(shù)制備，但是相較于常規(guī)低壓氣相沉積設(shè)備運行的硅片工藝，它要更加注意因氧殘留而產(chǎn)生的沾污問題。商業(yè)化的鍺硅薄膜沉積要求采用超高真空（UHV）設(shè)備的設(shè)計概念，設(shè)備成本較高。新的Tystar鍺硅低壓氣相沉積設(shè)備是基于類似的單晶外延層的熱壁沉積設(shè)備和幾所大學共同開發(fā)的，其中低壓氣相沉積法制備的鍺硅薄膜中的的鍺濃度可以是0到100%。采用鍺硅低壓氣相沉積設(shè)備沉積單晶硅的的設(shè)計是在升級低壓氣相沉積系統(tǒng)后得到的，這樣可以改善泄漏率和氧殘留.

Tystar 鍺硅化學氣相沉積系統(tǒng)是新研發(fā)出來產(chǎn)品，該產(chǎn)品是基于Tystar的化學氣相沉積技術(shù)、設(shè)備設(shè)計和生產(chǎn)制造，也包括氣體和蒸汽輸送控制系統(tǒng)、工藝控制器和具有良好氣體控制設(shè)備設(shè)計的熱壁熱反應(yīng)器.

Tystar鍺硅低壓氣相沉積系統(tǒng)的設(shè)計理念是：產(chǎn)能25片/批、襯底可達8/200毫米。Tystar硅-鍺LPCVD反應(yīng)器主要用于研發(fā)實驗室、試驗和小規(guī)模生產(chǎn).

• 沉積溫度: 350 - 550?C
• 典型薄膜厚度: 0.3 μm
• 批產(chǎn)能: 25
• 沉積速率: 7-13nm/MIN. (70 - 130 ?/MIN.)
• 氣體: GERMANE (GeH₄), DISILANE (Si ₂H₆), SILANE (SiH₄), PHOSPHINE (PH₃), BORON TRICHLORIDE (BCl₃)
• 增加三氯化硼和降低磷烷含量都會影響硅鍺前驅(qū)氣體分解從而降低沉積速率.

應(yīng)用范圍：GHz諧振器、混合信號電路、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、CMOS晶體管、熱電裝置,射頻開關(guān)和多種現(xiàn)代電子設(shè)備.
 

通過我們的設(shè)備制備半絕緣性多晶硅薄膜（SIPOS）

半絕緣多晶硅薄膜工藝是一個低壓化學氣相沉積沉積高電阻的多晶硅層的工藝。它主要用于制造高壓半導體器件。半絕緣多晶硅薄膜彌補了二氧化硅膜的不足，比如二氧化硅/硅界面的正電荷聚集、堿金屬離子在高溫和高電場下高遷移率。這些問題導致高壓器件電壓維持水平降低和擊穿，器件不穩(wěn)定性和考慮到二氧化硅層離子遷移而造成受損，可靠性也會因此而下降。半絕緣多晶硅薄膜主要應(yīng)用于高壓器件鈍化層以用來延伸PN結(jié)/二氧化硅界面距離來得到高電場.

用于半絕緣多晶硅薄膜的沉積的設(shè)備是一個標準的半導體低壓氣相沉積設(shè)備。它要求有一根可以均勻加熱到620℃到680攝氏度的真空密閉石英管、一個真空泵和在沉積工藝中維持持續(xù)氣流為2-5mTorr基本壓力的控制系統(tǒng)，和氣體供應(yīng)系統(tǒng)（硅烷和一氧化二氮）以及氮氣吹掃、壓力控制和回沖系統(tǒng)。它還要有一個合適的可編程程序控制器以獲得可重復(fù)的且能夠控制的結(jié)果。為了獲得好的厚度均勻性，則要求采用一個特殊的籠式石英舟，它與LTO工藝中所用的籠舟相似?；旧习虢^緣多晶硅薄膜工藝與其他低壓氣相沉積工藝非常相似?？煽毓に囎兞繛?

• 典型膜厚: 0.45 μm
• 批產(chǎn)能: 50
• 沉積速率: 5-10nm/MIN. (50 - 100 ?/MIN.)
• 沉積氣體: DICHLOROSILANE, NITROUS OXIDE
• SiH₄ 流量. HIGHER FLOW RATES GIVE FASTER DEPOSITION RATES.
• N₂O 流量: RATIO OF SiH₄ TO N₂O DETERMINES FILM RESISTIVITY. HIGHER N₂O ConCENTRATIONS RESULT IN HIGHER SIPOS RESISTIVITY. SIPOS FILM RESISTIVITIES ARE BETWEEN 100 TO 1000 OHM CM.
• 溫度范圍: RANGE FROM 620 TO 680°C. HIGHER TEMPERATURE RESULTS IN FASTER DEPOSITION RATES, BUT AT HIGHER TEMPERATURE FILMS BECOME POLY-CRYSTALLINE. FILMS DEPOSITED AT LOWER TEMPERATURES ARE AMORPHOUS.
• 壓力：沉積壓力可以通過改變供應(yīng)氣體或通入額外的氮氣來控制。反應(yīng)氣體流量高時，沉積速率增加，在恒定的工藝氣流下，通過增加的氮氣稀釋，會顯著提高薄膜厚度均勻性.

在SIPOS中氧原子的含量可以達到 0~35%,均勻性通常是 +/- 1.5 At.%. SIPOS薄膜電阻率取決于硅烷和笑氣的比例.

應(yīng)用范圍：高壓半導體器件，發(fā)射極，太陽能光伏電池和減反射膜
 

通過我們的設(shè)備制備多晶碳化硅

碳化硅因其特有的強度，導熱系數(shù)和極端環(huán)境下的穩(wěn)定性而成為電子和微機電系統(tǒng)的常用材料.

• 典型膜厚: 0.3 μm
• 批產(chǎn)能: 25
• 沉積速率: 6 - 9nm/MIN. (60 - 90 ?/MIN.)
• 沉積氣體: METHYLSILANE, DICHLOROSILANE, HYDROGEN, ACETYLENE, AMMONIA
• 沉積溫度: 700 - 900?C
• 殘余應(yīng)力: 200 - 1400 MPA

一些常用前驅(qū)氣體包括:

• SIH₄ + C₂H₄
• SIH₂CL₂ + C₂H₂
• 1,3-DISILABUTANE
• METHYLSILANE

NH₃ 通常用于 n-型摻雜 (CH₃)₃Al 用于 p-型. 工藝菜單能夠使有機硅在低溫下運行的1,3-disilabutane,然而，它有很多缺點，比如價格昂貴，液體和純度偏低。它的純度影響工藝，導致工藝的變化. 所以推薦使用甲基硅烷，一些工藝關(guān)系如下

• 增大壓力范圍 0.17-1.7 TORR 會增大壓力并降低沉積速率.
• 800°C 左右，薄膜應(yīng)力最小，沉積速率最大.
• 使用二氯二氫硅替代甲基硅烷可以降低9%的應(yīng)力.

應(yīng)用范圍: 高溫耐化學MEMS，高功率高壓器件，鈍化層，共鳴器
 

外延硅

冷壁反應(yīng)器常規(guī)用于生長外延硅，但是，冷壁工藝因受制于產(chǎn)能的局限性而變得價格昂貴?；仡欉^去的四分之一的世紀，通過升級改造，低壓氣相沉積也可以被用來沉積外延硅和同時原位激活有源區(qū).

冷壁反應(yīng)器常規(guī)用于生長外延硅，但是，冷壁工藝因受制于產(chǎn)能的局限性而變得價格昂貴?；仡欉^去的四分之一的世紀，通過升級改造，低壓氣相沉積也可以被用來沉積外延硅和同時原位激活有源區(qū).

• 典型膜厚: 20nm - 1.0 μm
• ? 批產(chǎn)能: > 25 (18 FLAT ZONE) OR > 50 (34 FLAT ZONE)
• ? 沉積速率: 3 - 15nm/MIN. (30 - 150 ?/MIN.)
• ? 沉積氣體: DICHLOROSILANE (SIH₂CL₂)
• ? 沉積溫度: 830 - 950 ?C
• ? 沉積壓力 50 TORR TO ATMOSPHERIC

Applications: 應(yīng)用范圍：現(xiàn)代微電子設(shè)備，光伏電池發(fā)射極

通過低壓化學氣相沉積法制備納米材料
在過去的30年間，Tystar 公司和多個大學和國家研究室合作研發(fā)了很多工藝菜單用于與納米材料反應(yīng)器. 采用Tystar 反應(yīng)器或絕熱反應(yīng)器在低壓或常壓下可以制備多種納米材料.