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SEE-5, VS4電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)
產(chǎn)地：韓國、英國；

型號：SEE-5, VS4；

電子束蒸發(fā)是真空蒸鍍的一種，它是在鎢絲熱蒸發(fā)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的技術(shù)。電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料，比一般熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)的熱效率高、束流密度大、蒸發(fā)速度快，制備的薄膜純度高、質(zhì)量好，薄膜的厚度可以較準(zhǔn)確地控制。

技術(shù)規(guī)格特點(diǎn)：

- 電子束源：四袋或六袋電子束槍；

- 電子束電源：6KW；

- 腔體：鋁合金或不銹鋼材料可供客戶選擇，不同尺寸的箱式腔室可選；

- 泵：分子泵，冷凝泵可選；

- Load Lock樣品傳輸腔室：手動或自動傳輸，高真空，支持多種樣品襯底；

- 工藝控制：PC/PLC機(jī)制的自動控制，使用GUI進(jìn)行工藝控制、數(shù)據(jù)處理、遠(yuǎn)程支持；

- 原位監(jiān)控：石英晶振監(jiān)測(QCM)，光學(xué)監(jiān)測，殘余氣體分析，其他原位監(jiān)測技術(shù)或控制；

- 襯底固定：單襯底固定，多襯底固定，行星式襯底固定，客戶化襯底固定方式；

- 襯底夾具：加熱，冷卻，偏置，旋轉(zhuǎn)等；

- 離子源：襯底預(yù)先清洗輔助沉積，納米尺度表面修飾；

電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是化合物半導(dǎo)體器件制作中的一種重要工藝技術(shù)；它是在高真空狀態(tài)下由電子束加熱坩堝中的金屬，使其熔融后蒸發(fā)到所需基片上形成金屬膜。可蒸發(fā)很多難熔金屬或者蒸汽壓低的金屬材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…

技術(shù)參數(shù)：
1. 蒸發(fā)室尺寸：24"×24"× 21"；

2. 極限真空度：≤5×10-7托；

3. 電子槍功率： 6千瓦可調(diào)；

4. 蒸發(fā)速率：可由晶體振蕩器監(jiān)控厚度和沉積速率；

5. 可蒸發(fā)金屬膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等；

6. 膜厚度誤差 ≤±5%，膜厚均勻性誤差 ≤±5% 。

主要特點(diǎn)：
1. 安全簡易的軟件操作系統(tǒng)，四個(gè)不同級別的用戶權(quán)限（操作、工藝、工程師以及維修保養(yǎng)）最大限度的保證系統(tǒng)的安全。

2. 雙腔設(shè)計(jì)：蒸發(fā)材料和晶片分別處于不同的腔體中，使得源材料的更換和晶片的裝載過程中最大限度的保證腔體的潔凈程度和縮短抽真空的時(shí)間。

3. 較大的前腔門使得在維修和保養(yǎng)的過程中極為方便。

4. 采用衛(wèi)星旋轉(zhuǎn)式晶片裝載夾具，可以根據(jù)不同的產(chǎn)量的需要升級晶片直徑或增加夾具的數(shù)量。衛(wèi)星旋轉(zhuǎn)式夾具保證了沉積薄膜的均勻性。

參考用戶：

廣東工業(yè)大學(xué)、華中科技大學(xué)、廈門大學(xué)等.

SEE-5, VS4電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī) 上海載德半導(dǎo)體

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