包郵
關(guān)注:486
日本Advance Riko 電弧等離子體沉積系統(tǒng)APD
產(chǎn)品品牌
日本Advance
庫 存：
1
產(chǎn) 地：
全國
|
日本Advance Riko 電弧等離子體沉積系統(tǒng)APD
|
| 詳細介紹 |
|
電弧等離子體沉積系統(tǒng)
|
| 日本Advance Riko 公司致力于電弧等離子體沉積系統(tǒng)（APD）利用脈沖電弧放電將電導(dǎo)材料離子化，產(chǎn)生高能離子并沉積在基底上，制備納米級薄膜鍍層或納米顆粒。 |
 |
電弧等離子體沉積系統(tǒng)利用通過控制脈沖能量，可以在1.5nm到6nm范圍內(nèi)精確控制納米顆粒直徑，活性好，產(chǎn)量高。多種靶材同時制備可生成新化合物。金屬/半導(dǎo)體制備同時控制腔體氣氛，可以產(chǎn)生氧化物和氮化物薄膜。高能量等離子體可以沉積碳和相關(guān)單質(zhì)體如非晶碳，納米鉆石，碳納米管 形成新的納米顆粒催化劑。
主要應(yīng)用領(lǐng)域：
1、制備新金屬化合物，或制備氧化物和氮化物薄膜（氧氣和氮氣氛圍）；
2、制備非晶碳，納米鉆石以及碳納米管的納米顆粒；
3、形成新的納米顆粒催化劑（廢氣催化劑，揮發(fā)性有機化合物分解催化劑，光催化劑，燃料電池電極催化劑，制氫催化劑）；
4、用熱電材料靶材制備熱電效應(yīng)薄膜。
|
|
技術(shù)原理：
|
1、在觸發(fā)電極上加載高電壓后，電容中的電荷充到陰極（靶材）上；
2、真空中的陽極和陰極（靶材）間，電子形成了蠕緩放電，并產(chǎn)生放電回路，靶材被加熱并形成等離子體；
3、通過磁場控制等離子體照射到基底上，形成薄膜或納米顆粒。 |
  |
| 材料適用性： |
|
APD適用于元素周期表中大部分高導(dǎo)電性金屬，合金以及半導(dǎo)體。所用原料為直徑10mmX17mm長圓柱體或管狀體，且電阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表顯示了可制備的材料，綠色代表完全適用，黃色代表在一定條件下適用。
|
 |
| 設(shè)備特點： |
|
1. 系統(tǒng)可以通過調(diào)節(jié)放電電容選擇納米顆粒直徑在1.5nm到6nm范圍內(nèi)。
2. 只要靶材是導(dǎo)電材料，系統(tǒng)就可以將其等離子體化。（電阻率小于0.01ohm.cm）。
3. 改變系統(tǒng)的氣氛氛圍，可以制備氧化物或氮化物。石墨在氫氣中放電能產(chǎn)生超納米微晶鉆石。
4. 用該系統(tǒng)制備的活性催化劑效果優(yōu)于濕法制備。
5. Model APD-P支持將納米顆粒做成粉末。Model APD-S適合在2英寸基片上制備均勻薄膜。 |
APD制備的Fe-Co納米顆粒的SEM和EDS圖譜
|
| 系統(tǒng)參數(shù)： |
|
1. 真空腔尺寸：400x400X300長寬高
2. 抽空系統(tǒng)：分子泵450L/s
3. 電弧等離子體源:標配一個，最多3個
4. 沉積氣壓：真空或者低氣壓氣體（N2， H2，O2，Ar）
5. 靶材：導(dǎo)電材料，外徑10mm，長17mm
6. 靶材電阻率：小于0.01歐姆厘米
7. 電容：360uF X5 （可選）
8. 脈沖速度：1,2,3,4,5 Pulse/s
9. 操作界面：觸摸屏
10. 放電電壓：70V-400V （1800uF下最大150V）
APD-P 粉末容器：直徑95mm 高30mm
形成粉末的速度：13-20cc （隨顆粒尺寸和密度變化）
旋轉(zhuǎn)速度：1-50rpm
|
 |
 |
| 設(shè)備對比： |
 |
|
|
|
|
|
咨詢
網(wǎng)站首頁
購物車
用戶中心
全部產(chǎn)品分類
提示信息
免費咨詢行業(yè)專家
