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具體設(shè)備詳情請咨詢專業(yè)銷售： 400-6988-696

CPI系列純化學(xué)拋光設(shè)備是 MCF 公司研制的一款，對于高精度的半導(dǎo)體晶片及其它電子、光電晶體的表面進(jìn)行最終腐蝕拋光工藝的設(shè)備，可以實(shí)現(xiàn)最低的次級(jí)表面損傷。CPI系列化學(xué)拋光設(shè)備具有強(qiáng)防腐蝕的功能，在保護(hù)操作人員人身安全的情況下，還能夠很好的滿足腐蝕拋光溶劑，如溴甲醇，過氧化氫或酸腐蝕劑等，同樣也適用于腐蝕性較弱的化學(xué)拋光，如半導(dǎo)體晶片的背面拋光。CPI系列純化學(xué)拋光設(shè)備可以與GNAD系列精密研磨拋光設(shè)備配合使用，可以實(shí)現(xiàn)電子器件對于晶片表面平整度、平行度及厚度非?？量痰目刂埔?，并能完全達(dá)到這些控制標(biāo)準(zhǔn)。

特點(diǎn)

• 無任何機(jī)械作用力，實(shí)現(xiàn)最低次級(jí)表面損傷

• 超強(qiáng)防腐材料制成，由聚丙烯，涂PVDF和環(huán)氧的聚亞安酯制成，可用于多種侵蝕劑液，如溴-甲醇等。

• 加工樣品尺寸（3×3＂），（3×4＂），（2×3＂和1×4＂），（1×3＂和2×4＂），（3×3＂和3×4＂）等多種尺寸組合可根據(jù)用戶工藝要求定制。

• 滴液速度、磨盤轉(zhuǎn)速可設(shè)置，擺速可從0到45每秒，操作方便，可遠(yuǎn)程控制。

• 時(shí)間從0到10個(gè)小時(shí)自由調(diào)節(jié)，到達(dá)設(shè)定時(shí)間時(shí)，儀器可以繼續(xù)運(yùn)行，也可以設(shè)置成自動(dòng)停止。

• 半導(dǎo)體晶片和光晶體的高精度腐蝕拋光，并提供晶體最小應(yīng)力的解決方案

原理

設(shè)備由主驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，防腐蝕填料系統(tǒng)，廢料疏導(dǎo)系統(tǒng)和遠(yuǎn)程控制系統(tǒng)組成，拋光盤更換方便，并且容易清洗。主驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)配有齒輪驅(qū)動(dòng)裝置，樣品在行星齒輪內(nèi)繞著中心齒輪同步轉(zhuǎn)動(dòng)，保證了樣品表面平整度和平行度。

應(yīng)用

1、用于紅外探測和其它器件的碲鋅鎘,銻化銦，碲鎘汞等材料在封裝及外延生長前的末級(jí)化學(xué)腐蝕拋光。

2、用于薄脆的半導(dǎo)體材料，如砷化鎵，磷化銦和多種Ⅲ-Ⅴ族,Ⅱ-Ⅵ族化合物等。

3、用于所有需要電子/光學(xué)級(jí)拋光的高標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用，如硫化鎘及類似的光電材料。

化學(xué)拋光機(jī)

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