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    G-31型精密光刻機 四川G-31型精密光刻機

    應用于半導體行業(yè):

    半導體加工設備-光刻設備-雙面光刻機

    產(chǎn)品品牌

    鑫南光

    庫       存:

    100

    產(chǎn)       地:

    中國-四川省

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價       格:

    面議
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    品牌:鑫南光

    型號:

    所屬系列:半導體加工設備-光刻設備-雙面光刻機

    G-31型精密光刻機操作程序的簡要說明:

    一、主要用途

    主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。

    二、工作方式

    本機采用版—版對準雙面同時曝光

    三、主要構(gòu)成

    主要由高精度特制的翻版機構(gòu)、雙視場CCD顯微顯示系統(tǒng)、二臺多點光源式曝光頭、真空管路系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、直聯(lián)式真空泵、防震工作臺等組成。

    四、主要功能特點

    1.適用范圍廣

    適用于φ100mm以下,厚度5mm以下的各種基片的對準曝光。

    2.結(jié)構(gòu)先進

    該機為雙面接觸式光刻機,特制的翻版機構(gòu),能消除基片楔形誤差,保證上、下二塊掩膜版對基片上、下兩面良好的接觸,從而保證基片上、下兩面的曝光質(zhì)量。

    3.操作簡便

    采用手動方式;特制的翻版機構(gòu)

    4.可靠性高

    采用進口電磁閥、按鈕、定時器;真空管路系統(tǒng)和精密的零件加工,使本機具有非常高的可靠性。

    五、主要技術(shù)指標

    1、曝光類型:單面對準雙面曝光

    2、曝光面積:≥φ100mm

    3、曝光不均勻性:≤±4%

    4、曝光強度:≥5mw/cm2

    5、曝光分辨率:≤2μm

    6、曝光模式:雙面同時曝光

    7、對準精度:上版與下版的對準精度≤5μm

    8、對準范圍:X:±5mm Y:±5mm

    9、旋轉(zhuǎn)范圍:Q向旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)≥±5°

    10、顯微系統(tǒng):雙視場CCD系統(tǒng),物鏡0.7X~4.5X,計算機圖像處理系統(tǒng),19″液晶監(jiān)視器;

    11、掩模版尺寸:3″×3″、4″×4″、5″×5″

    12、基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″

    13、基片厚度:≤5 mm

    14、曝光燈功率:直流2×350W

    15、曝光定時:0~999.9秒可調(diào)

    16、電源:單相AC 220V 50Hz功耗≤1kW

    17、潔凈壓縮空氣壓力:≥0.4Mpa

    18、真空度:-0.07Mpa~-0.09Mpa

    19、尺寸:900×700×1500 (L×W×H)mm;

    20、重量:~150kg

     

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