EBPG5150使用了155mm大小的樣品臺,采用跟EBPG5200一樣的通用光刻平臺設計,對電子束直寫應用進行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
00001. 高束流密度,熱場發(fā)射電子槍可以在20、50和100kV之間切換
00002. 155mm的平臺
00003. 最小曝光特征尺寸小于8nm
00004. 高速度曝光,可采用50或100MHz的圖形發(fā)生器
00005. 在所有KVs加速電壓下,可連續(xù)改變的寫場大小,最大可以到1mm
00006. GUI人機交互界面友好,簡潔易用,適用于多用戶環(huán)境
00007. 多項靈活可選擇的配置,可以適用于不同應用的需求
可選的系統(tǒng)增強升級
EBPG5150可以選擇不同的升級選項,以滿足用戶不同的技術和預算需求。讓全世界的高校等研究類用戶也可以使用這款非常先進、高自動化的電子束光刻系統(tǒng)。
EBPG5150 應用
· 電子束曝光用于制作GaAs T型器件
· 微盤諧振器
· 開口環(huán)諧振器
EBPG5150 產品詳情
主要應用:
· 100KV高加速電壓可用于曝光高深寬比納米結構
· 高速電子束直寫
· 批量生產,如化合物半導體器件
· 防偽標識
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電子光學柱技術:
· EBPG
· 電子束
· 100 kV
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樣品臺:
· 覆蓋完整6英寸硅片大小
· 標配2工位自動化上料
(10工位可選)
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