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瑞士NanoFrazor 3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī) 源自IBM最新研發(fā)成果
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NanoFrazor納米3D結(jié)構(gòu)直寫機(jī)的問世,源于發(fā)明STM和AFM的IBM蘇黎世研發(fā)中心,是其在納米加工技術(shù)的最新研究成果。NanoFrazor納米3D結(jié)構(gòu)直寫機(jī)第一次將納米尺度下的3D結(jié)構(gòu)直寫工藝快速化、穩(wěn)定化。 |
NanoFrazor采用尖端直徑為5nm的探針,通過靜電力精確控制實(shí)現(xiàn)直寫3D高精度直寫,并通過懸臂一側(cè)的熱傳感器實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)的形貌探測(cè)。相對(duì)于其他制備技術(shù)如電子束曝光/光刻技術(shù)(EBL), 聚焦離子束刻蝕(FIB)有以下特點(diǎn): | |
■ 3D納米直寫能力 高直寫精度 (XY: 10nm, Z: 1nm) 高速直寫 20 mm/s 與EBL媲美
■ 無需顯影,實(shí)時(shí)觀察直寫效果形貌感知靈敏度0.1nm 樣品無需標(biāo)記識(shí)別,多結(jié)構(gòu)套刻,對(duì)準(zhǔn)精度 5nm
■ 無臨近效應(yīng)
高分辨,高密度納米結(jié)構(gòu)
■ 無電子/離子損傷
高性能二維材料器件
■ 區(qū)域熱加工和化學(xué)反應(yīng)
多元化納米結(jié)構(gòu)改性
■ 大樣品臺(tái)
100mm X 100mm
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新產(chǎn)品發(fā)布:NEW?。?/em> | NanoFrazor Scholar --小面積直寫 |
■ 3D納米直寫能力 高直寫精度 (XY: 30nm, Z: 1nm) 高速直寫 10 mm/s
■ 無需顯影,實(shí)時(shí)觀察直寫效果形貌感知靈敏度0.1nm 樣品無需標(biāo)記識(shí)別,多結(jié)構(gòu)套刻,對(duì)準(zhǔn)精度 10 nm
■ 無臨近效應(yīng)
高分辨,高密度納米結(jié)構(gòu)
■ 無電子/離子損傷
高性能二維材料器件
■ 區(qū)域熱加工和化學(xué)反應(yīng)
多元化納米結(jié)構(gòu)改性
■ 小樣品臺(tái)
30mm X 30mm
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獨(dú)有的直寫針尖設(shè)計(jì) |
普通的AFM針尖無法滿足上述NanoFrazor直寫流程的需求,因此NanoFrazor所用針尖是由IBM專門研發(fā)設(shè)計(jì)的。該針尖具有兩個(gè)電阻加熱區(qū)域,針尖上方的加熱區(qū)域可以加熱到1000oC。 第二處加熱區(qū)域作為熱導(dǎo)率傳感器位于側(cè)臂處,其能感知針尖與樣品距離的變化,精度高達(dá)0.1 nm。因此在每行直寫進(jìn)程結(jié)束后的回掃結(jié)構(gòu)時(shí),并不是通過針尖 起伏反饋形貌信息,而是通過熱導(dǎo)率傳感器感應(yīng)形貌變化,從而實(shí)現(xiàn)了比AFM快1000余倍的掃描速度,同避免了針尖的快速磨損消耗。 |
NanoFrazor技術(shù)特點(diǎn) |
其他功能 ● 納米顆粒有序定位排列 ● 納米局部化學(xué)反應(yīng)誘導(dǎo) ● 表面化學(xué)圖案、結(jié)構(gòu)生成 |
納米顆粒有序定位排列
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氧化石墨烯的定位還原
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圖形轉(zhuǎn)移 通過NanoFrazor3D納米結(jié)構(gòu)直寫機(jī)獲得的納米圖形結(jié)構(gòu),可以通過傳統(tǒng)成熟的工藝技術(shù),如干法刻蝕,電鍍、注射成型法等進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。 |
應(yīng)用領(lǐng)域 | |||
快速原型設(shè)計(jì)開發(fā) ● 衍射透鏡,全息圖 ● 非球面微透鏡陣列 ● 波導(dǎo)纖維、光子晶體 ● MEMS/NEMS ● 表面等離子激元,超材料 ● 納米磁學(xué) ● 納米電子器件 ● 生物細(xì)胞研究 ● 納米流體控制 ● 反物質(zhì)物理學(xué) |
微納結(jié)構(gòu) ● 防偽標(biāo)識(shí) ● DFB 激光、 ● ASICs 的關(guān)鍵部位加工 模板加工 ● 光掩模板 ● 納米壓印印章 ● 注射成型模具
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